DDR 3 - duża przepustowość, wysokie opóźnienia

To co głównie wyróżnia poszczególne generacje pamięci DDR, to głównie napięcie zasilania, które dla modułów pierwszej generacji wynosiło (minimalne) 2.5V, dla DDR2 - 1.8V a dla nadchodzących DDR3 ma wynosić 1.5V. W drugiej generacji pamięci znacząco wzrosła przepustowość, ale wysokie wartości opóźnień dość mocno ograniczyły korzyści z niej wynikające. Podobnie będzie w przypadku DDR3. Jeden z największych producentów kostek pamięci, firma Micron zdradziła zakresy timingów dla poszczególnych klas nowych modułów. Wygląda to tak :
- DDR3-800 : 5-5-5 do 6-6-6
- DDR3-1066 : 6-6-6 do 8-8-8
- DDR3-1333 : 8-8-8 do 10-10-10
- DDR3-1600 : 9-9-9 do 11-11-11
Oczywiście moduł DDR3 1600 MHz z czasem opóźnień 10/10/10 będzie szybszy niż DDR3 800 5/5/5, bo wyniknie to z podwójnie większej prędkości pracy jego zegara jak i przepustowości na poziomie 16 GB/s, więc dwukrotnie wyższe opóźnienia nie będą w stanie tego zmienić. Co przyniesie nam przejście na nowe pamięci, przekonamy się zapewne jeszcze w tym roku.