Nowe 16GB pamięci NAND od Samsunga

Samsung ogłosił, że jest pierwszą firmą produkującą 16GB pamięci NAND flash. Nowe pamięci wykonane są w technologii 51nm oraz bazują na strukturze multi-level Cell (MLC) i są wydajniejsze o 60 procent niż te wykonane w 60nm. ” Aby zminimalizować koszty oraz zwiększyć wydajność, zastosowaliśmy najlepszy proces technologiczny, który wprowadza 55nm i wyżej’ powiedział Jim Elliott, dyrektor ds. marketingu z działu flash.

Pamięci NAND flash wykonane w 51nm są ponad 60 procent szybsze od obecnych 60nm produktów bazujących na MLC. Nowe projekty oparte na oferują prędkość odczytu na poziomie 30MB/s natomiast zapisu 8MB/s dla porównania poprzednia generacja oferowała odpowiednio 17MB/s i 4.4MB/s. 16GB chipy NAND będą używane w urządzeniach oferujących pojemność 16GB. Samsung chce przeznaczyć swoje nowe pamięci dla odtwarzaczy MP3 oraz telefonów komórkowych. Nowe pamięci oferować będą także 4-bit error-correcting code (ECC). Samsung obecnie dostarcza 16GB chipy do hurtowni i oczekuje, że będą dostępne masowo pod koniec tego roku.