Samsung pierwszy z GDDR4.

Samsung ogłosił rozesłanie do producentów kart graficznych próbek modułów pamięci GDDR4. 256Mbit układy są niemal identyczne jak ich poprzednicy GDDR3, jednak zapewniają o 25% większą przepustowość od najszybszych kości trzeciej generacji równą 10GB/s (2.5Gb/s po każdym z 32 pinów). Do końca bieżącego roku Samsung chce przedstawić pamięci zdolne do pracy z szyną 11.2GB/s, by rozpocząć ich masową produkcję w drugim kwartale 2006 roku.
Na chwilę obecną najszybsze moduły to GDDR3 750MHz pracujące z szyną 6.4GB/s, montowane na Radeonach X1800XT.