Samsung - w 2010 roku moduły 4 GB

Jeszcze trzy lata temu zastanawiałem się, kiedy to kupię sobie kolejne dwie kostki (po 256 MB), by "dobić" ilość pamięci do jednego Giga. W tym roku udało mi się umieścić na płycie już dwa moduły po 1 GB, ale okazuje się, że to wciąż mało. Samsung również to widzi, więc opracował nową technologię produkcji "kości" pamięci. Nazwał ją Through Silicon Via (TSV). Każda pojedyncza, czarna kostka na laminacie modułu składa się z czterech minikomórek, zdolnych przetworzyć 512 Mbit informacji, tak więc pojedynczy chip będzie posiadał 2 Gbit. Jak widać, moda na wiele "rdzeni" panuje nie tylko w dziedzinie procesorów. W pamięciach nazywa się to MCP (Multi Chip Package). Takie rozwiązanie pozwoli Samsungowi wdrożyć moduły pamięci o pojemności 4 GB, które będą pobierały tyle samo energii elektrycznej, co obecne konstrukcje. Co ważne, zostanie również zachowany obecny standard wymiarów modułu. Pamięci o pojemności 4 GB (zapewne kolejną generację DDR) wykonane w technologii TSV powinniśmy mieć już w komputerach około 2010 roku.