70 nm NAND flash od Samsunga

Samsung ogłosił nowy rekord prędkości swoich nowych, 1GB pamięci flash – 70nm OneNAND. Oferuje ona prędkość odczytu na poziomie 108 MB/s, podczas gdy 90 nm OneNAND umożliwia odczyt z prędkością 68 MB/s, a NAND zaledwie 16.2 MB/s.


Samsung ogłosił dzisiaj, że wprowadza nowe pamięci do masowej produkcji. Szybsze pamięci będą przede wszystkim skierowane do szerokiej gamy aplikacji w różnego typu urządzenia przenośnych, w których stosuje się karty pamięci, takie jak np. kamery cyfrowe oraz hybrydowe dyski twarde. Zmieniając technologię na 70 nm Samsung uzyskuje 70% wzrost efektywności w porównaniu do technologii 90 nm, który jest aktualnie wykorzystywany w przemyśle.

Nowe pamięci łączą w sobie zalety szybkości załączania i odczytywania danych, jakie posiadają pamięci NOR z dużą pojemnością i szybkością zapisu, jakie gwarantują pamięci oparte o układy NAND. Urządzenie 70 nm jest aktualnie dedykowane do przeszło 100 mobilnych produktów.