GDDR3 Samsunga w nowych obudowach

Samsung Electronics Co. Ltd. - jeden z czołowych dostawców pamięci, wraz z premierą swoich nowych kości GDDR3 zmienił standard ich obudów z dotychczas stosowanej 144 stykowej FBGA na 136 stykową również FBGA (Lead-Free Only). Taki krok pozwolił na redukcję napięcia do poziomu odpowiednio 1.8/1.8V dla VDD/VDDQ. Pamięci mogą pracować z czasem dostępu wynoszącym: 2.0ns, 1.667ns, 1.429ns oraz 1.25ns. W nowym "ubranku" można już znaleźć 512Mb kości (organizacja 16Mx32) oraz 256Mb (8Mx32).