Intel i Micron wprowadzają 20nm proces technologiczny
Firmy Intel Corporation i Micron Technology Inc. przedstawiły dziś nowy, 20-nanometrowy (nm) proces technologiczny produkcji pamięci NAND flash. W nowym procesie wytwarzane jest 8-gigabajtowe (GB) urządzenie NAND flash typu Multi-Level Cell (MLC) o wysokiej pojemności i niewielkich rozmiarach, służące do przechowywania muzyki, wideo, e-booków i innych danych w smartfonach, tabletach czy dyskach SSD . Rosnąca ilość przechowywanych danych oraz nowe funkcje tabletów i smartfonów nakładają nowe wymagania na technologię NAND flash, zwłaszcza w zakresie oferowania wyższych pojemności w mniejszych układach. Nowe 20-nanometrowe urządzenie o pojemności 8 GB mierzy zaledwie 118mm2 i ogranicza zajmowaną przestrzeń na płytce drukowanej o 30 do 40 procent (w zależności od typu obudowy) w porównaniu z istniejącym, 25-nanometrowym urządzeniem NAND 8 GB firm Intel i Micron. Zmniejszenie rozmiarów pamięci flash zapewnia większą elastyczność, ponieważ pozwala producentom tabletów i smartfonów wykorzystać dodatkową przestrzeń do ulepszenia produktu, na przykład przez dodanie większej baterii, większego ekranu albo kolejnego układu do obsługi nowych funkcji. (Dalej)...
Nowe urządzenie 20 nm 8 GB, wytwarzane przez IM Flash Technologies (IMFT), spółkę firm Intel i Micron, jest przełomem w technologii produkcji NAND i umacnia obie firmy na wiodącej pozycji w dziedzinie litografii. Litografia NAND w zmniejszonym wymiarze technologicznym stanowi najbardziej ekonomiczny sposób na zwiększenie mocy produkcyjnej fabryk, ponieważ pozwala produkować o 50 procent więcej gigabajtów pamięci w porównaniu z bieżącą technologią. Nowa pamięć 20-nanometrowa cechuje się podobną wydajnością i wytrzymałością, co poprzednia, 25nm generacja technologii NAND.
Próbki urządzenia 20 nm 8GB są już dostępne, a jego masowa produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2011 r. Intel i Micron oczekują, że zaprezentują wówczas próbki urządzenia 16-gigabajtowego, które pozwoli stworzyć pojedyncze, 128-gigabajtowe rozwiązanie pamięci półprzewodnikowej mniejsze od typowego znaczka pocztowego.
