Prototyp DDR3 gotowy

Samsung poinformował o przygotowaniu prototypy pamięci DDR3 SDRAM. DDR3 zasilany jest napięciem 1.5V i potrafi przesyłać dane z prędkością 1,066 megabita na sekundę. Jest to dokładnie dwukrotnie szybciej niż DDR2 SDRAM i czterokrotnie szybciej niż DDR SDRAM. Masowa produkcja tych modułów zacznie się w 2006 roku.