Samsung masowym producentem pamięci 2Gb DDR3 30nm

Samsung Electronics jako pierwszy na świecie ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 2Gb kości pamięci Green DDR3 wykonanych w technologii 30 nm. Z pośród dostępnych na rynku pamięci, 30 nm 2 Gb układy Green DDR3 firmy Samsung, zapewniają najwyższą wydajność, dzięki innowacyjnemu rozmieszczeniu układów scalonych. W serwerach, moduły pamięci osiągają przepustowość sięgającą 1866 Gb na sekundę, przy zasilaniu 1.35 V, a w komputerach klasy PC nawet 2133 Gb na sekundę (zasilanie 1.5 V). To ponad trzykrotnie szybciej niż moduły pamięci DDR2 i półtora razy szybciej niż 50 nm układy pamięci DDR3. (Dalej)...



Ostatni wzrost sprzedaży na rynku smartphonów, zaowocował zdecydowanym zwiększeniem ruchu sieciowego i przepływu danych. Nowe pamięci Samsunga zapewniają najwyższą wydajność i niskie zapotrzebowanie na energię, co czyni je gotowymi do wykorzystania w serwerach nowej generacji zoptymalizowanych pod kątem wirtualizacji i cloud computing. Wykorzystując technologię 30 nm pamięci Samsung, serwery zużyją ok. 20 procent mniej energii, niż w przypadku zastosowania pamięci wykonanych w 50 nm procesie produkcji.

Dodatkowo, w połączeniu z nowymi, wielordzeniowymi platformami PC, 4GB 30 nm kość pamięci DDR3 pracuje o 60 procent szybciej niż dwie 2GB 50 nm kości pamięci DDR3, zużywając przy tym o 65 procent mniej energii. 30 nm proces produkcji pozwolił na 155 procentowy wzrost wydajności w stosunku do 50 nm procesu produkcji.

Samsung wkrótce poszerzy swoją ofertę o 4GB, 8GB, 16GB i 32GB 30 nm pamięci RDIMM przeznaczone do serwerów, 2GB, 4GB i 8GB pamięci UDIMM przeznaczone do stacji roboczych i komputerów klasy PC oraz 2GB, 4GB i 8GB pamięci SoDIMM przeznaczone do notebooków i komputerów typu all-in-one. Pod koniec roku firma planuje również produkcję 4Gb kości pamięci DDR3, wykonanych w 30 nm procesie technologicznym.