Samsung rozpoczął produkcję kości ePOP

Samsung rozpoczął masową produkcję układów ePOP. Projekt ten jest warty zainteresowania, gdyż w jednej kości Samsung połączył pamięć NAND z DRAM. Nie dość, że nowa pamięć ePOP oferuje większą wydajność, to dodatkowo pobór prądu jest mniejszy. Rozmiar takiego gotowego układu w porównaniu do obecnych rozwiązań jest o 40% mniejszy.

Według Samsunga szybkość pamięci DRAM wynosi 1866MB/sec, przy zastosowaniu 64 bitowej szyny danych. W gotowym układzie ePOP znajdziemy 3 GB pamięci typu LPDDR3 oraz 32 GB NAND eMMC. Obecne rozwiązania zajmują powierzchnię 374,5 mm ². Rozwiązanie Samsunga przy tych samych możliwościach zajmuje tylko 225 mm ².