Samsung zapowiada 1ns GDDR3!

Samsung - król zapowiedzi, tym razem poinformował, że będzie w stanie stworzyć obecnie najszybszą pamięć GDDR3 512Mbit z czasem dostępu wynoszącym zaledwie 1ns. Kość wykonana w procesie technologicznym 90nm może osiągnąć taktowanie wynoszące nawet 2GHz i działać z prędkością 8GB/s, co jest o 70% więcej niż konwencjonalne 1.6ns moduły. Produkty powinny być dostosowane do specyfikacji obudowy JEDEC ze 136-pinami. Ponadto firma powiedziała, że powstaną szybsze pamięci GDDR1 i 2ns GDDR2.