Szybki nośnik DRAM

Południowokoreańska firma Hynix poinformowała o wyprodukowaniu najszybszego i najmniejszego mobilnego nośnika pamięci operacyjnej DRAM o pojemności 512 MB. Nowy układ pracuje z częstotliwością 200MHz i przetwarza dane z szybkością 1,6 GB/s. Nośnik posiada wymiary 8x10 mm, co pozwala umieścić go na pozycji lidera w dziedzinie miniaturyzacji tego typu układów. Produkt jest opracowany z myślą o telefonach komórkowych trzeciej generacji, w których różnorodność aplikacji multimedialnych wymaga większej sprawności działania poszczególnych elementów konstrukcyjnych. Firma Hynix zapowiada wprowadzenie na rynek również hybrydy nośników DRAM i NAND o pojemności 512 MB, przeznaczonej do wyjątkowo cienkich telefonów.