Toshiba - Sandisk i Fab 4 - nowa fabryka pamięci NAND flash

Firmy Toshiba Corporation i SanDisk Corporation uświetniły wczoraj tradycyjną ceremonią i przyjęciem otwarcie Fab 4, najnowszego wydziału produkcyjnego 300-milimetrowych wafli krzemowych w należących do Toshiby zakładach Yokkaichi w prefekturze Mie w Japonii. Ze względu na rosnący popyt na pamięć NAND flash używaną w szerokiej gamie urządzeń cyfrowych, takich jak odtwarzacze multimedialne, telefony komórkowe, komputery PC i karty pamięci, w sierpniu 2006 roku Toshiba rozpoczęła budowę wydziału produkcyjnego Fab 4. Fab 4 ma rozpocząć masową produkcję w grudniu 2007 roku i osiągnąć pełną zdolność produkcyjną (80.000 wafli miesięcznie) w drugiej połowie roku kalendarzowego 2008 r. Wydział dysponuje miejscem do przyszłego rozszerzenia produkcji, a dalsze inwestycje mogą zwiększyć zdolność produkcyjną do 210.000 wafli miesięcznie w reakcji na przewidywany wzrost popytu rynkowego. W Fab 4 będzie początkowo stosowany najnowocześniejszy, 56-nanometrowy (1 nanometr = jedna miliardowa część metra) proces technologiczny, a od marca 2008 roku planowane jest stopniowe przejście na technologię 43 nm. (Dalej) ...



Wydział Fab 4 zaprojektowano tak, aby zminimalizować wpływ katastrof naturalnych na jego działalność. Budynek zbudowano w oparciu o najnowszą strukturę pochłaniającą wstrząsy tektoniczne, która zmniejsza siłę drgań nawet o dwie trzecie. Zastosowano w nim również wielokrotną kompensację zasilania (MPC), wyzwalaną natychmiast w przypadku nagłej, chwilowej przerwy w dopływie prądu, na przykład spowodowanej uderzeniem pioruna.

Toshiba sfinansowała budynek wydziału Fab 4, a Flash Alliance Ltd., spółka Toshiby i SanDiska założona w czerwcu 2006 roku (należąca w 50,1% do Toshiby i w 49,9 % do SanDiska), finansuje sprzęt produkcyjny obecnie instalowany w fabryce.