Toshiba prezentuje wielowarstwową technologię produkcji pamięci NAND

Korporacja Toshiba zaprezentowała na wtorkowym sympozjum VLSI nowy typ trójwymiarowej struktury macierzy komórek pamięci, który pozwala na zwiększenie gęstości komórek i pojemności danych przy minimalnym zwiększeniu rozmiaru chipa. Co ważne nowy typ struktury nie wymaga bardzo zaawansowanych procesów produkcji. Istniejące technologie budowania wielowarstwowych trójwymiarowych pamięci, wykorzystują nakładanie na siebie dwuwymiarowych macierzy pamięci jedna na drugiej tworząc w ten sposób wielowarstwową „kanapkę”. Technologia ta pozwala na zwiększenie gęstości komórek pamięci, jednak wymaga długiego i złożonego procesu produkcji.

Nowy metoda produkcji Toshiby, wykorzystuje otwory przecinające w dół wielowarstwowy substrat, tworząc „kanapkę” elektrod bramek, oraz cieniutkich warstw izolatora. Otwory te wypełniane są następnie lekko domieszkowanymi pręcikami krzemu. Elektroda bramki, owija się wokół pręcika krzemu w równych odstępach. W każdym połączeniu występuje także, cieniutka przygotowana wcześniej warstwa azotanu tworząc, wraz z elektrodą pozwalającą na zachowywanie danych, komórkę pamięci NAND. Także Samsung, Hynix, oraz IBM zaprezentowały już technologię tworzenia trójwymiarowych wielowarstwowych pamięci, jednak metoda Toshiby wydaje się być najbardziej zaawansowana. Nowa technologia tej firmy zwiększa gęstość komórek, bez zwiększania rozmiarów samego chipu, ze względu na to, że ilość podłączonych elementów rośnie proporcjonalnie do ilości warstw. Materiały prasowe Toshiby mówią jak na razie o dziesięciokrotnym zwiększeniu gęstości z zachowaniem tego samego procesu produkcji, przy wykorzystaniu 32 warstw, i to wszystko bez zwiększania fizycznego rozmiaru samego chipu. Potencjał tej technologii pozwala liczyć na to, że w niedalekiej przyszłości możemy oczekiwać znacznego zwiększenia pojemności, a zatem i redukcji cen np. bardzo drogich jak na razie dysków typu SSD.

Porównanie konwecjonalnych metod tworzenia wielowarstwowych pamięci
z technologią firmy Toshiba


Struktura Wielowarstwowej komórki pamięci Toshiba