Nowa pamięć Hynixa

Firma Hynix Semiconductor opracowała pamięć DDR SDRAM z obsługą ECC przeznaczoną do urządzeń przenośnych. Pamięć o pojemności 512 MB pracuje z częstotliwością 185MHz. Zdaniem firmy kod korekcji błędów zapewnia integralność danych i pozwala na redukcję zużycia energii o prawie 50%. Pamięć umożliwia przesyłanie danych z prędkością do 1.5Gbps. Funkcja ECC pozwala na zwiększenie czasu odświeżania, co ma się przekładać na niższe zużycie energii. Dodatkowo, pamięć oferuje funkcje redukujące zapotrzebowanie na energię, typowe dla układów przeznaczonych do urządzeń przenośnych, jak między innymi TCSR (prędkość odświeżania pamięci jest dostosowywana do temperatury układu) i PASR (odświeżanie pamięci po przejściu w stan czuwania odbywa się tylko w tych bankach pamięci, które zawierają jakieś dane). Nowa pamięć będzie wytwarzana w procesie technologicznym 80nm. Produkcja na dużą skalę Hynix planuje na druga połowę 2007 roku.